Каталог товаров
Выберите модификацию товара.
Изображение
Товар добавлен в корзину.
Изображение товара
Кол-во:
Стоимость: Р-
Итого:  Р-
Товар добавлен к сравнению.

Добавлен к сравнению.

Si4800BDY

Описание товара:
30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA, Id - непрерывный ток утечки 6.5 A, Pd - рассеивание мощности 1.3 W, Qg - заряд затвора 13 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток 18.5 mOhms, RoHS Подробности, Vds - напряжение пробоя затвор-исток 25 V, Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V, Вид монтажа SMD/SMT, Время нарастания 12 ns, Время спада 12 ns.
Похожие товары
Купить в один клик
Отправить заказ

Корзина 0 Сравнение0 Обратная связь
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам